儀器由四探針測試儀和薄膜電導率測量儀兩分組成。具有測量精度、靈敏度、穩定性好、測量范圍寬、結構緊湊、使用方便等點。儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、等院校對半導體材料的電阻性能的測試。
四探針測試儀由主機、測試架等分組成?？梢詼y量片狀、塊狀半導體材料的徑向和軸向電阻率，測量擴散層的薄層電阻（亦稱方塊電阻）、能材料暗電導和光電導及溫度的變化的性，還可以對金屬導體的低、中值電阻行測量。測試探頭采用寶石導向軸套和耐磨碳化鎢探針制成，故定位準確、游移率小、壽命長。
薄膜電導率測量儀由樣品室、溫控系統、真空系統、阻測量系統等分組成。
◆ 測量范圍：電阻測量范圍：1×106～1×1017Ω；
電阻率：0.001～200Ωcm；
電導率：0.005～1000s/cm；
◆ 可測晶片直徑： 200mmX200mm；
◆ 探針：碳化鎢或速鋼；探針間距：1±0.01mm；
◆ 針間緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
◆ 本底真空度：≤10Pa，氣壓可控范圍：10～400Pa；
◆ 襯底加熱 溫度：室溫～200℃。